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直流穩(wěn)壓電源原理圖的各個元器件的選項注意事項

2017-9-21 9:00:33??????點擊:

直流穩(wěn)壓電源原理圖的各個元器件的選項注意事項

FS1:

由變壓器核算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知運用公司同享料2A/250V,規(guī)劃時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超越保險絲的額外值。

TR1(熱敏電阻):

直流穩(wěn)壓電源發(fā)動的瞬間,由于C1(一次側(cè)濾波電容)短路,導(dǎo)致Iin電流很大,盡管時刻很時刻短,但亦可能對Power發(fā)生損傷,所以有必要在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻,以約束開機瞬間Iin在Spec之內(nèi)(115V/30A,230V/60A),但因熱敏電阻亦會耗費功率,所以不行放太大的阻值(否則會影響功率),一般運用5Ω-10Ω熱敏,若C1電容運用較大的值,則有必要考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般運用在大瓦數(shù)的Power上)。

VDR1(突波吸收器):

當雷極發(fā)作時,可能會損壞零件,進而影響Power的正常動作,所以有必要在靠AC輸入端 (Fuse之后),加上突波吸收器來維護Power(一般常用07D471K),但若有價格上的考慮,可先忽略不裝。

CY1,CY2(Y-Cap):

Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容,若AC Input有FG(3 Pin)一般運用Y2- Cap , AC Input若為2Pin(只需L,N)一般運用Y1-Cap,Y1與Y2的差異,除了價分外(Y1較昂貴),絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為兩層絕緣,絕緣耐壓約為Y2的兩倍,且在電容的本體上會有“回”符號或注明Y1),此電路蛭 蠪G所以運用Y2-Cap,Y-Cap會影響EMI特性,一般來說越大越好,但須考慮漏電及價格問題,漏電(Leakage Current )有必要契合安規(guī)須求(3Pin公司標準為750uA max)。

CX1(X-Cap)、RX1:

X-Cap為防制EMI零件,EMI可分為Conduction及Radiation兩部分,Conduction標準一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 , FCC測驗頻率在450K~30MHz,CISPR 22測驗頻率在150K~30MHz, Conduction可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗證,Radiation 則有必要到實驗室驗證,X-Cap 一般對低頻段(150K ~ 數(shù)M之間)的EMI防制有用,一般來說X-Cap愈大,EMI防制作用愈好(但價格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包括0.22uf),安規(guī)規(guī)則有必要要有泄放電阻(RX1,一般為1.2MΩ 1/4W)。

LF1(Common Choke):

EMI防制零件,首要影響Conduction 的中、低頻段,規(guī)劃時有必要一起考慮EMI特性及溫升,以相同尺度的Common Choke而言,線圈數(shù)愈多(相對的線徑愈細),EMI防制作用愈好,但溫升可能較高。

BD1(整流二極管):

將直流穩(wěn)壓電源以全波整流的方法變換為DC,由變壓器所核算出的Iin值,可知只需運用1A/600V的整流二極管,由于是全波整流所以耐壓只需600V即可。

C1(濾波電容):

由C1的巨細(電容值)可決議變壓器核算中的Vin(min)值,電容量愈大,Vin(min)愈高但價格亦愈高,此部分可在電路中實踐驗證Vin(min)是否正確,若AC Input 范圍在90V~132V (Vc1 電壓最高約190V),可運用耐壓200V的電容;若AC Input 范圍在90V~264V(或180V~264V),因Vc1電壓最高約380V,所以有必要運用耐壓400V的電容。

D2(輔佐直流穩(wěn)壓電源二極管):

整流二極管,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),兩者首要差異:

耐壓不同(在此處運用差異無所謂)

VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)

R10(輔佐直流穩(wěn)壓電源電阻):

首要用于調(diào)整PWM IC的VCC電壓,以現(xiàn)在運用的3843而言,規(guī)劃時VCC有必要大于8.4V(Min. Load時),但為考慮輸出短路的狀況,VCC電壓不行規(guī)劃的太高,防止當輸出短路時不維護(或輸入瓦數(shù)過大)。

C7(濾波電容):

輔佐直流穩(wěn)壓電源的濾波電容,供給PWM IC較安穩(wěn)的直流電壓,一般運用100uf/25V電容。

Z1(Zener 二極管):

當回授失效時的直流穩(wěn)壓電源維護電路,回授失效時輸出電壓沖高,輔佐直流穩(wěn)壓電源電壓相對進步,此刻若沒有直流穩(wěn)壓電源維護電路,可能會形成零件損壞,若在3843 VCC與3843 Pin3腳之間加一個Zener Diode,當回授失效時Zener Diode會潰散,使得Pin3腳提早抵達1V,以此可約束輸出電壓,到達維護零件的意圖.Z1值的巨細取決于輔佐直流穩(wěn)壓電源的凹凸,Z1的決議亦須考慮是否超越Q1的VGS耐壓值,原則上運用公司的現(xiàn)有料(一般運用1/2W即可).

R2(發(fā)動電阻):

供給3843榜首次發(fā)動的途徑,榜首次發(fā)動時透過R2對C7充電,以供給3843 VCC所需的電壓,R2阻值較大時,turn on的時刻較長,但短路時Pin瓦數(shù)較小,R2阻值較小時,turn on的時刻較短,短路時Pin瓦數(shù)較大,一般運用220KΩ/2W M.O。

R4 (Line Compensation):

高、低壓補償用,使3843 Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz挨近共同(一般運用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之間)。

R3,C6,D1 (Snubber):

此三個零件組成Snubber,調(diào)整Snubber的意圖:1.當Q1 off瞬間會有Spike發(fā)生,調(diào)整Snubber能夠保證Spike不會超越Q1的耐壓值,2.調(diào)整Snubber可改進EMI.一般來說,D1運用1N4007(1A/1000V)EMI特性會較好.R3運用2W M.O.電阻,C6的耐壓值以兩頭實踐壓差為準(一般運用耐壓500V的陶質(zhì)電容)。

Q1(N-MOS):

現(xiàn)在常運用的為3A/600V及6A/600V兩種,6A/600V的RDS(ON)較3A/600V小,所以溫升會較低,若IDS電流未超越3A,應(yīng)該先以3A/600V為考慮,并以溫升記載來驗證,由于6A/600V的價格高于3A/600V許多,Q1的運用亦需考慮VDS是否超越額外值。

R8:

R8的作用在維護Q1,防止Q1呈現(xiàn)浮接狀況。

R7(Rs電阻):

3843 Pin3腳電壓最高為1V,R7的巨細須與R4合作,以到達凹凸壓平衡的意圖,一般運用2W M.O.電阻,規(guī)劃時先決議R7后再加上R4補償,一般將3843 Pin3腳電壓規(guī)劃在0.85V~0.95V之間(視瓦數(shù)而定,若瓦數(shù)較小則不能太挨近1V,防止因零件差錯而頂?shù)?V)。

R5,C3(RC filter):

濾除3843 Pin3腳的噪聲,R5一般運用1KΩ 1/8W,C3一般運用102P/50V的陶質(zhì)電容,C3若運用電容值較小者,重載可能不開機(由于3843 Pin3瞬間頂?shù)?V);若運用電容值較大者,或許會有輕載不開機及短路Pin過大的問題。

R9(Q1 Gate電阻 ):

R9電阻的巨細,會影響到EMI及溫升特性,一般來說阻值大,Q1 turn on / turn off的速度較慢,EMI特性較好,但Q1的溫升較高、功率較低(首要是由于turn off速度較慢);若阻值較小, Q1 turn on / turn off的速度較快,Q1溫升較低、功率較高,但EMI較差,一般運用51Ω-150Ω 1/8W。

R6,C4(操控振動頻率):

決議3843的工作頻率,可由Data Sheet得到R、C組成的工作頻率,C4一般為10nf的電容(差錯為5%),R6運用精細電阻,以DA-14B33為例,C4運用103P/50VPE電容,R6為3.74KΩ 1/8W精細電阻,振動頻率約為45 KHz。

C5:

功用相似RC filter,首要功用在于使高壓輕載較不易振動,一般運用101P/50V陶質(zhì)電容。

U1(PWM IC):

3843是PWM IC的一種,由Photo Coupler (U2)回授信號操控Duty Cycle的巨細,Pin3腳具有限流的作用(最高電壓1V),現(xiàn)在所用的3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)兩種,兩者腳位相同,但發(fā)生的振動頻率略有差異,UC3843BN較KA3843快了約2KHz,fT的添加會衍生出一些問題(例如:EMI問題、短路問題),因KA3843較難買,所以新機種規(guī)劃時,盡量運用UC3843BN。

R1、R11、R12、C2(一次側(cè)回路增益操控):

3843內(nèi)部有一個Error AMP(差錯擴大器),R1、R11、R12、C2及Error AMP組成一個負回授電路,用來調(diào)整回路增益的安穩(wěn)度,回路增益,調(diào)整不恰當可能會形成振動或輸出電壓不正確,一般C2運用立式積層電容(溫度持性較好)。

U2(Photo coupler)

光耦合器(Photo coupler)首要將二次側(cè)的信號變換到一次側(cè)(以電流的方法),當二次側(cè)的TL431導(dǎo)通后,U2即會將二次側(cè)的電流依份額變換到一次側(cè),此刻3843由Pin6 (output)輸出off的信號(Low)來關(guān)閉Q1,運用Photo coupler的原因,是為了契合安規(guī)需求(primacy to secondary的間隔至少需5.6mm)。

R13(二次側(cè)回路增益操控):

操控流過Photo coupler的電流,R13阻值較小時,流過Photo coupler的電流較大,U2變換電流較大,回路增益較快(需求承認是否會形成振動),R13阻值較大時,流過Photo coupler的電流較小,U2變換電流較小,回路增益較慢,盡管較不易形成振動,但需留意輸出電壓是否正常。

U3(TL431)、R15、R16、R18

調(diào)整輸出電壓的巨細, ,輸出電壓不行超越38V(由于TL431 VKA最大為36V,若再加Photo coupler的VF值,則Vo應(yīng)在38V以下較安全),TL431的Vref為2.5V,R15及R16并聯(lián)的意圖使輸出電壓能微調(diào),且R15與R16并聯(lián)后的值不行太大(盡量在2KΩ以下),防止形成輸出禁絕。

R14,C9(二次側(cè)回路增益操控):

操控二次側(cè)的回路增益,一般來說將電容擴大會使增益變慢;電容放小會使增益變快,電阻的特性則剛好與電容相反,電阻擴大增益變快;電阻放小增益變慢,至于何謂增益調(diào)整的最佳值,則能夠Dynamic load來量測,即可取得一個最佳值。

D4(整流二極管):

由于輸出電壓為3.3V,而輸出電壓調(diào)整器(Output Voltage Regulator)運用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以有必要多添加一組繞組供給Photo coupler及TL431所需的直流穩(wěn)壓電源,由于U2及U3所需的電流不大(約10mA左右),二極管耐壓值100V即可,所以只需運用1N4148(0.15A/100V)。

C8(濾波電容):

由于U2及U3所需的電流不大,所以只需運用1u/50V即可。

D5(整流二極管):

輸出整流二極管,D5的運用需考慮:

電流值

二極管的耐壓值

以此電路為例,輸出電流4A,運用10A的二極管(Schottky)應(yīng)該能夠,但經(jīng)點溫升驗證后發(fā)現(xiàn)D5溫度偏高,所以有必要換為15A的二極管,由于10A的VF較15A的VF 值大。耐壓部分40V經(jīng)驗證后契合,因此最終運用15A/40V Schottky。

C10,R17(二次側(cè)snubber) :

D5在截止的瞬間會有spike發(fā)生,若spike超越二極管(D5)的耐壓值,二極管會有被擊穿的危險,調(diào)整snubber可恰當?shù)臏p少spike的電壓值,除維護二極管外亦可改進EMI,R17一般運用1/2W的電阻,C10一般運用耐壓500V的陶質(zhì)電容,snubber調(diào)整的進程(264V/63Hz)需留意R17,C10是否會過熱,應(yīng)防止此種狀況發(fā)作。

C11,C13(濾波電容):

二次側(cè)榜首級濾波電容,應(yīng)運用內(nèi)阻較小的電容(LXZ,YXA…),電容挑選是否洽當可依以下三點來斷定:

輸出Ripple電壓是契合標準

電容溫度是否超越額外值

電容值兩頭電壓是否超越額外值

R19(假負載):

恰當?shù)倪\用假負載可使線路更安穩(wěn),但假負載的阻值不行太小,否則會影響功率,運用時亦須留意是否超越電阻的額外值(一般規(guī)劃只運用額外瓦數(shù)的一半)。

L3,C12(LC濾波電路):

LC濾波電路為第二級濾波,在不影響線路安穩(wěn)的狀況下,一般會將L3 擴大(電感量較大),如此C12可運用較小的電容值。