直流穩(wěn)壓電源MOS最常損壞5種模式詳解
2017-7-11 9:22:55??????點(diǎn)擊：
【直流穩(wěn)壓電源MOS最常損壞5種模式詳解】雪崩破壞、直流穩(wěn)壓電源器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置直流穩(wěn)壓電源二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞
第一種：雪崩破壞
如果在漏極-源極間外加超出直流穩(wěn)壓電源器件額定VDSS的電涌直流穩(wěn)壓電源電壓，而且達(dá)到擊穿直流穩(wěn)壓電源電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿直流穩(wěn)壓電源電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃直流穩(wěn)壓電源電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰直流穩(wěn)壓電源電壓超出功率直流穩(wěn)壓電源MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
典型直流穩(wěn)壓電源電路：
第二種：直流穩(wěn)壓電源器件發(fā)熱損壞
由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流穩(wěn)壓電源功率和瞬態(tài)功率兩種。
直流穩(wěn)壓電源功率原因：外加直流穩(wěn)壓電源功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱
●導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時(shí)RDS(on)增大，導(dǎo)致一定直流穩(wěn)壓電源電流下，功耗增加）
●由漏直流穩(wěn)壓電源電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極小）
瞬態(tài)功率原因：外加單觸發(fā)脈沖
●負(fù)載短路
●開關(guān)損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
●內(nèi)置直流穩(wěn)壓電源二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
直流穩(wěn)壓電源器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過(guò)直流穩(wěn)壓電源電流，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外，由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí)，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。
第三種：內(nèi)置直流穩(wěn)壓電源二極管破壞
在DS端間構(gòu)成的寄生直流穩(wěn)壓電源二極管運(yùn)行時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率直流穩(wěn)壓電源MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)行，
導(dǎo)致此直流穩(wěn)壓電源二極管破壞的模式。
第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞
此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生
在并聯(lián)功率直流穩(wěn)壓電源MOS FET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開漏極-源極直流穩(wěn)壓電源電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振直流穩(wěn)壓電源電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)直流穩(wěn)壓電源電壓Vgs(in)的振動(dòng)直流穩(wěn)壓電源電壓，由于超出柵極-源極間額定直流穩(wěn)壓電源電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間直流穩(wěn)壓電源電壓時(shí)的振動(dòng)直流穩(wěn)壓電源電壓通過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。
第五種：柵極電涌、靜電破壞
主要有因在柵極和源極之間如果存在直流穩(wěn)壓電源電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過(guò)直流穩(wěn)壓電源電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞
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